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SWN6N70DA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWN6N70DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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SWN6N70DA datasheet

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 sw6n70da swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf pdf_icon

SWN6N70DA

SW6N70DA N-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F /TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFET TO251N TO251S TO251U TO252 TO220F Features BVDSS 700V l High ruggedness ID 6A l Low RDS(ON) (Typ 1.7 ) 1 1 RDS(ON) 1.7 1 1 @VGS=10V 2 2 2 2 1 3 3 2 3 3 l Low Gate Charge (Typ 26nC) 3 2 l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NX TO251 TO251MQ l

 ..2. Size:2234K  samwin
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SW6N70DA N-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F /TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFET TO251N TO251S TO251U TO252 TO220F Features BVDSS 700V l High ruggedness ID 6A l Low RDS(ON) (Typ 1.7 ) 1 1 RDS(ON) 1.7 1 1 @VGS=10V 2 2 2 2 1 3 3 2 3 3 l Low Gate Charge (Typ 26nC) 3 2 l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NX TO251 TO251MQ l

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SWN6N70DA

SW6N70DB N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-252/TO-251N MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F TO-252 TO-251N ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.4 )@VGS=10V RDS(ON) 1.4 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 2 3 Application LED, PC Power, Charger 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gen

 7.1. Size:964K  samwin
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SWN6N70DA

SW6N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 6A Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V RDS(ON) 1.1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Charger,LED,TV-Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

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History: FDV303NNB9U008 | FDZ661PZ

 

 
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