SWN6N70DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWN6N70DA
   Código: SW6N70DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWN6N70DA

SWN6N70DA Datasheet (PDF)

..1. Size:2234K samwin
sw6n70da swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf

SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l

..2. Size:2234K samwin
swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf

6.1. Size:994K samwin
swf6n70db swd6n70db swn6n70db.pdf

SW6N70DBN-channel Enhanced mode TO-220F /TO-252/TO-251N MOSFETFeaturesBVDSS : 700VTO-220F TO-252 TO-251NID : 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.4)@VGS=10VRDS(ON) : 1.4 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 21 100% Avalanche Tested112223 Application:LED, PC Power, Charger 3311. Gate 2. Drain 3. Source3Gen

7.1. Size:964K samwin
swf6n70k swn6n70k swd6n70k.pdf

SW6N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS : 700V High ruggedness ID : 6A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Charger,LED,TV-Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

7.2. Size:862K samwin
sw6n70k swf6n70k swn6n70k swd6n70k.pdf

SW6N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS : 700V High ruggedness ID : 6A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:Charge,LED,TV-Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

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Liste

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