SWSI6N70DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWSI6N70DA
Código: SW6N70DA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 138.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 26 nC
Tiempo de subida (tr): 34 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 88 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWSI6N70DA
SWSI6N70DA Datasheet (PDF)
sw6n70da swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf
SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l
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SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
