ZVN0120A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZVN0120A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 16 Ohm
   Paquete / Cubierta: ELINE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVN0120A

ZVN0120A Datasheet (PDF)

..1. Size:22K diodes
zvn0120a.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN0120AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 200 Volt VDS* RDS(on)=16APPLICATIONSD* Telephone handsets G SE-LineREFER TO ZVN0124A FOR GRAPHSTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 200 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 160 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate S

8.1. Size:53K diodes
zvn0124a.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENT4A ZVN0124AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 1 MARCH 94FEATURES* 240 Volt VDS* RDS(on)=16GS=10V7V5VAPPLICATIONS4VD* Telephone handsets G SE-Line3VTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT2VDrain-Source Voltage VDS 240 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 160 mAPulsed Drain Current IDM 2A

8.2. Size:39K zetex
zvn0124astoa zvn0124astob zvn0124astz.pdf