SWD6N70K Todos los transistores

 

SWD6N70K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWD6N70K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SWD6N70K datasheet

 ..1. Size:964K  samwin
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SWD6N70K

SW6N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 6A Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V RDS(ON) 1.1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Charger,LED,TV-Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

 ..2. Size:862K  samwin
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SW6N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 6A Low RDS(ON) (Typ 1.1 )@VGS=10V RDS(ON) 1.1 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Charge,LED,TV-Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

 7.1. Size:2234K  samwin
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SWD6N70K

SW6N70DA N-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F /TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFET TO251N TO251S TO251U TO252 TO220F Features BVDSS 700V l High ruggedness ID 6A l Low RDS(ON) (Typ 1.7 ) 1 1 RDS(ON) 1.7 1 1 @VGS=10V 2 2 2 2 1 3 3 2 3 3 l Low Gate Charge (Typ 26nC) 3 2 l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NX TO251 TO251MQ l

 7.2. Size:2234K  samwin
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SWD6N70K

SW6N70DA N-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F /TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFET TO251N TO251S TO251U TO252 TO220F Features BVDSS 700V l High ruggedness ID 6A l Low RDS(ON) (Typ 1.7 ) 1 1 RDS(ON) 1.7 1 1 @VGS=10V 2 2 2 2 1 3 3 2 3 3 l Low Gate Charge (Typ 26nC) 3 2 l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NX TO251 TO251MQ l

Otros transistores... SWF6N70DA , SWI6N70DA , SWNX6N70DA , SWP6N70DA , SWQI6N70DA , SWMQI6N70DA , SWF6N70K , SWN6N70K , 2N7002 , SWN6N80D , SWF6N80D , SWD6N80D , SWU6N80D , SWJ6N80D , SWF7N60D , SWP7N60D , SWI7N60D .

 

 

 


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