SWU6N80D Todos los transistores

 

SWU6N80D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWU6N80D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 186.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO-262

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SWU6N80D datasheet

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SWU6N80D

SW6N80D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 TO-262 BVDSS 800V TO-262N ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 Application LED

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SWU6N80D

SW6N80D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS 800V TO-262 TO-262N ID 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 Application LED , Charger, SMPS 1.

 9.1. Size:987K  samwin
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SWU6N80D

SW6N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 /TO-220SF MOSFET Features TO251 TO220F TO251N TO252 TO262 TO220SF BVDSS 650V High ruggedness ID 6A Low RDS(ON) (Typ 0.8 )@VGS=10V RDS(ON) 0.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 3 3 Applicat

Otros transistores... SWQI6N70DA , SWMQI6N70DA , SWF6N70K , SWN6N70K , SWD6N70K , SWN6N80D , SWF6N80D , SWD6N80D , AO3401 , SWJ6N80D , SWF7N60D , SWP7N60D , SWI7N60D , SWD7N60D , SWP7N65D , SWI7N65D , SWN7N65D .

History: RUH120N35L | RDX060N60FU6

 

 

 

 

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