SWMN7N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWMN7N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWMN7N65D

SWMN7N65D Datasheet (PDF)

..1. Size:1527K samwin
swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF /TO-262N/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11122 Low Gate Charge (Typ 30nC) 223333 Improved dv/dt Capability DDFN5*6TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan

..2. Size:1524K samwin
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..3. Size:1401K samwin
swp7n65d swi7n65d swn7n65d swui7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d swy7n65d.pdf

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-251U/TO-252/TO-220F/TO-220SF/TO-262N/DFN5*6/TO-220FT MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-251U TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11 112 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 22333 33 Improved dv/dt Capability DTO-220FT TO-262N DFN

6.1. Size:1121K samwin
swf7n65k swmn7n65k swi7n65k swn7n65k swd7n65k swp7n65k.pdf

SW7N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220 MOSFET Features TO-220F TO-220SF TO-251 TO-251N TO-252 TO-220 BVDSS : 650V ID : 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.5)@VGS=10V RDS(ON) :0.5 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 Applica

6.2. Size:725K samwin
swmn7n65j swd7n65j.pdf

SW7N65JN-channel Enhanced mode TO-220SF/TO-252 MOSFETFeaturesTO-220SF TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 0.6)@VGS=10VRDS(ON) : 0.6 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 12 22 Application:LED , Charger, PC Power 3 31. Gate 2. Drain 3. Source1General DescriptionThis power MO

8.1. Size:750K samwin
swwf7n90d swmn7n90d.pdf

SW7N90D N-channel Enhanced mode TO-220WF/TO-220SF MOSFET Features BVDSS : 900V TO-220WF TO-220SF ID : 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.7)@VGS=10V RDS(ON) : 1.7 Low Gate Charge (Typ 42nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: UPS, LED, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source General Descript

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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