ZVN0545G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZVN0545G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVN0545G

ZVN0545G Datasheet (PDF)

..1. Size:25K diodes
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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN0545GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - DECEMBER 1995 FEATURES* 450 Volts VDSD* RDS(on)= 50* Ease of parallelingSDPARTMARKING DETAIL ZVN0545GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 450 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 140 mAPulsed Drain Current IDM 600 mAGate-Source Voltage VGS

0.1. Size:20K diodes
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7.1. Size:19K diodes
zvn0545astob zvn0545astz.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN0545AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 450 Volts VDS* RDS(on)= 50D G SE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 450 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 90 mAPulsed Drain Current IDM 600 mAGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Pt

7.2. Size:27K diodes
zvn0545a.pdf