SSU70R750S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSU70R750S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 63 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 12.5 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSU70R750S
SSU70R750S Datasheet (PDF)
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SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 700V Super Junction Power Transistor SS*70R750S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSF70R750S/SST70R750S/SSU70R750S 700V N-Channel MOSFET Features Description SSMOS-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET
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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor700V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*70R1K2S2ERev. 1.1Sep. 2022www.supersemi.com.cnSSF70R1K2S2E/SST70R1K2S2E/SSU70R1K2S2E700V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis util
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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor700V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*70R600S2Rev. 1.2Jun. 2023www.supersemi.com.cnSST70R600S2/SSU70R600S2700V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advance
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