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SSU70R750S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSU70R750S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 63 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 12.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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SSU70R750S Datasheet (PDF)

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SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 700V Super Junction Power Transistor SS*70R750S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSF70R750S/SST70R750S/SSU70R750S 700V N-Channel MOSFET Features Description SSMOS-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET

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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor700V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*70R1K2S2ERev. 1.1Sep. 2022www.supersemi.com.cnSSF70R1K2S2E/SST70R1K2S2E/SSU70R1K2S2E700V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis util

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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor700V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*70R600S2Rev. 1.2Jun. 2023www.supersemi.com.cnSST70R600S2/SSU70R600S2700V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advance

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