MMFTP3401 Todos los transistores

 

MMFTP3401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMFTP3401
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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MMFTP3401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  semtech
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MMFTP3401

MMFTP3401 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic PackageAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage -VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 12 VDrain Current T = 25 4 A-ID A 3.2 T = 70 APeak Drain Current 1) -IDM 27 APower Dissipation 2) T = 25A1.4 PD W 0.9 T = 70AJunction and St

 9.1. Size:226K  semtech
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MMFTP3401

MMFTP84 P-Channel Enhancement Mode Vertical D-MOS Transistor Features Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High-speed switching No secondary breakdown 1. Gate 2. Source 3. DrainSOT-23 Plastic PackageApplications Line current interrupter in telephone sets Relay, high speed and line transformer drivers Caution The device i

 9.2. Size:464K  semtech
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MMFTP3401

MMFTP84W P-Channel Enhancement Mode Vertical D-MOS Transistor Features Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. High-speed switching No secondary breakdown 1. Gate 2. Source 3. Drain SOT-323 Plastic PackageApplications Line current interrupter in telephone sets Relay, high speed and line transformer drivers Caution The device

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History: NDS351N | WTK6679 | NCEP035N12D | IRFB23N15DPBF | 12N65F | IRFP4668PBF | SFG10S08GF

 

 
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