TSM240N03CX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSM240N03CX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
- Selección de transistores por parámetros
TSM240N03CX Datasheet (PDF)
tsm240n03cx.pdf

TSM240N03CX 30V N-Channel Power MOSFET SOT-23 Key Parameter Performance Pin Definition: 1. Gate Parameter Value Unit 2. Source 3. Drain VDS 30 V VGS = 10V 24 Note: RDS(on) (max) m MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) VGS = 4.5V 34 per J-STD-020 Qg 4.1 nC Block Diagram Ordering Information Ordering code Package Packing TSM240N03CX RFG SOT-23 3kpcs /
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: CP650 | WM02N08L | HGN035N08AL
History: CP650 | WM02N08L | HGN035N08AL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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