ISCNL344D Todos los transistores

 

ISCNL344D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISCNL344D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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ISCNL344D datasheet

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ISCNL344D

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL344D FEATURES Drain Current I = 35A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 23m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION DC/DC Converter Ideal for high-frequency switching and synchro

 7.1. Size:308K  inchange semiconductor
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ISCNL344D

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL343D FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 40m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (U

 9.1. Size:632K  inchange semiconductor
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ISCNL344D

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