VIS30019 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VIS30019
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 83.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 104 nC
   Tiempo de subida (tr): 9.6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 805 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VIS30019

VIS30019 Datasheet (PDF)

..1. Size:293K voltaic
vis30019.pdf

VIS3001930V N-Channel Power Trench MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V)150A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ)1.7m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ)2.1m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS TestedApplications 100% R

8.1. Size:159K voltaic
vis30024.pdf

VIS3002430V N-Channel Power Trench MOSFETGeneral Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V)146A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ)2.4m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ)2.8m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS TestedApplications 100% RG Te

8.2. Size:308K voltaic
vis30023.pdf

VIS3002330V N-Channel Power Trench MOSFETGeneral Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V)183A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ)2.3m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ)2.7m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS TestedApplications 100%

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Liste

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