VIS30019 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VIS30019
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 805 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VIS30019
VIS30019 Datasheet (PDF)
vis30019.pdf
VIS3001930V N-Channel Power Trench MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V)150A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ)1.7m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ)2.1m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS TestedApplications 100% R
vis30024.pdf
VIS3002430V N-Channel Power Trench MOSFETGeneral Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V)146A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ)2.4m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ)2.8m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS TestedApplications 100% RG Te
vis30023.pdf
VIS3002330V N-Channel Power Trench MOSFETGeneral Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V)183A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ)2.3m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ)2.7m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS TestedApplications 100%
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