VIS30019 Todos los transistores

 

VIS30019 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VIS30019
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 805 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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VIS30019 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  voltaic
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VIS30019

VIS3001930V N-Channel Power Trench MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V)150A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ)1.7m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ)2.1m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS TestedApplications 100% R

 8.1. Size:159K  voltaic
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VIS30019

VIS3002430V N-Channel Power Trench MOSFETGeneral Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V)146A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ)2.4m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ)2.8m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS TestedApplications 100% RG Te

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VIS30019

VIS3002330V N-Channel Power Trench MOSFETGeneral Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V)183A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ)2.3m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ)2.7m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS TestedApplications 100%

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