VIS30023 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VIS30023
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 183 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 756 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Encapsulados: TO263
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VIS30023 datasheet
vis30023.pdf
VIS30023 30V N-Channel Power Trench MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 183A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ) 2.3m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ) 2.7m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS Tested Applications 100%
vis30024.pdf
VIS30024 30V N-Channel Power Trench MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 146A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ) 2.4m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ) 2.8m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS Tested Applications 100% RG Te
vis30019.pdf
VIS30019 30V N-Channel Power Trench MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 150A Optimized for High Reliable Switch Application RDS(ON) (at VGS=10V, typ) 1.7m High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V, typ) 2.1m RoHS and Halogen-Free Compliant 100% UIS Tested Applications 100% R
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History: WSD2012DN25 | WSD6056DN56
History: WSD2012DN25 | WSD6056DN56
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Liste
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