ZVN3310F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZVN3310F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVN3310F

ZVN3310F Datasheet (PDF)

..1. Size:174K diodes
zvn3310f.pdf

A Product Line ofDiodes IncorporatedZVN3310F 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits High pulse current handling in linear mode VDS (V) 100 Low input capacitance RDS(ON) () 10 Fast switching speed Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) Description and

0.1. Size:169K diodes
zvn3310fta zvn3310ftc.pdf

7.1. Size:83K diodes
zvn3310a.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVN3310AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94FEATURES* 100 Volt VDS* RDS(on)= 10VGS=10V D G9V S8V7V E-Line6VTO92 Compatible5VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.4VPARAMETER SYMBOL VALUE UNIT3VDrain-Source Voltage VDS 100 V8 10Continuous Drain Current at Tamb=25C ID 200 mAPulsed Drain Current IDM 2AGate-Source Voltage VGS

7.2. Size:59K diodes
zvn3310astob zvn3310astz.pdf

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Liste

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