WFD2N65L Todos los transistores

 

WFD2N65L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFD2N65L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WFD2N65L Datasheet (PDF)

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WFD2N65L

WFD2N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD2.0A,650V,R (Max5.0)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 8.6nC) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produced

 8.1. Size:495K  winsemi
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WFD2N65L

WFD2N60WFD2N60WFD2N60WFD2N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,600V,R (Max 5.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 15.3nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced us

 8.2. Size:586K  winsemi
 wfd2n60b.pdf pdf_icon

WFD2N65L

WFD2N60BWFD2N60BWFD2N60BWFD2N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 2A,600V,R (Max 5.0)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced u

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History: MMBT7002KW | IXTP5N60P | FS3UM-16A | IPN80R1K2P7 | IRF9952Q | AOD4120 | IPL60R185P7

 

 
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