WFD2N65L Todos los transistores

 

WFD2N65L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFD2N65L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO252

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WFD2N65L datasheet

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WFD2N65L

WFD2N65L Product Description Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features D 2.0A,650V,R (Max5.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 8.6nC) Fast Switching Capability G 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) S General Description This Power MOSFET is produced

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WFD2N65L

WFD2N60 WFD2N60 WFD2N60 WFD2N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 2A,600V,R (Max 5.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 15.3nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced us

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WFD2N65L

WFD2N60B WFD2N60B WFD2N60B WFD2N60B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 2A,600V,R (Max 5.0 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced u

Otros transistores... WMM26N65C4 , WMO26N65C4 , WMJ26N65C4 , WML28N60C4 , WMK28N60C4 , WMN28N60C4 , WMM28N60C4 , WMJ28N60C4 , IRF1404 , WFD7N65L , WFF2N65L , WFF5N65L , WFF8N65L , WFJ5N65B , WFU2N65L , WTM2300 , WTM2301 .

History: VS4N65CD | 2N4003K

 

 

 

 

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