WFF8N65L Todos los transistores

 

WFF8N65L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFF8N65L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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WFF8N65L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  winsemi
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WFF8N65L

WFF8N65L Product DescriptionSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesD8.0A,650V,R (Max1.4)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 14.5nC) Fast Switching CapabilityG 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)SGeneral DescriptionThis Power MOSFET is produce

 7.1. Size:695K  winsemi
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WFF8N65L

WFF8N65BWFF8N65BWFF8N65BWFF8N65BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,650V,R (Max1.3)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 25nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General

 8.1. Size:696K  winsemi
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WFF8N65L

WFF8N60WFF8N60WFF8N60WFF8N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General Desc

 8.2. Size:709K  winsemi
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WFF8N65L

WFF8N60BWFF8N60BWFF8N60BWFF8N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 7.5A,600V,R (Max1.2)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 28nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage (V =4000V AC)ISO Maximum Junction Temperature Range(150)General

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History: PSMN3R8-100BS | NCE4606B | 2SK2148-01R | FDMS86202 | JFFM10N60C | 75N08 | FHP640A

 

 
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