WTM3401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTM3401
Código: A19LY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WTM3401
WTM3401 Datasheet (PDF)
wtm3401.pdf
WTM3401-30V/-4.2A P Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Low RDS(on) @VGS=-10V -3.3V Logic Level Control55m @-10V P Channel SOT23 Package -30V -4.2A 65m @ -4.5V Pb-Free, RoHS CompliantApplications Load Switch Switching circuits High-speed line driver Power Management Functions Order Information
wtm3400.pdf
WTM3400N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription The WTM3400 uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge and operation with gateDS(ON)voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as abattery protection or in other switching application.Features V DS = 30V, lD = 5.8AR
wtm3415.pdf
WTM3415Enhancement Mode Power MOSFET P-Channel Description The WTM3415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. General Features VDS = -20V,ID =-4ASchematic diagram RDS(ON)
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Liste
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