ZVN4206AV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZVN4206AV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: ELINE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVN4206AV

ZVN4206AV Datasheet (PDF)

..1. Size:98K diodes
zvn4206av.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206AVMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - APRIL 1998FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on)= 1* Repetitive avalanche rating* No transient protection requiredD* Characterised for 5V logic drive G SAPPLICATIONS* Automotive relay driversE-Line* Stepper motor driverTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Vol

0.1. Size:86K diodes
zvn4206astoa zvn4206astob zvn4206astz zvn4206avstoa.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 JUNE 94FEATURES* 60 Volt VDS* RDS(on) =1DGSE-LINETO92 COMPATIBLEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb=25C ID 600 mAPulsed Drain Current IDM 8AGate-Source Voltage VGS 20 VPower Dissipation at Tamb=25C Ptot 0.7 W

0.2. Size:90K diodes
zvn4206avstob zvn4206avstz.pdf