ZVN4206GV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZVN4206GV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

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ZVN4206GV Datasheet (PDF)

..1. Size:80K diodes
zvn4206gv.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206GVMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - APRIL 1998FEATURES* 60 Volt VDSD* RDS(on)= 1* Repetitive avalanche rating* No transient protection requiredS* Characterised for 5V logic driveDAPPLICATIONSG* Automotive relay drivers* Stepper motor driverPARTMARKING DETAIL - ZVN4206VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT

0.1. Size:77K diodes
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0.2. Size:40K diodes
zvn4206gta zvn4206gtc zvn4206gvta.pdf

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENTZVN4206GMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 - JANUARY 1996 .FEATURES* Compact geometryD* Fast switching speeds* No secondary breakdown and Excellent temperature stability* High input impedance and low current driveS* Ease of parrallelingDG5C(2)APPLICATIONS* DC-DC converters* Solenoid / relay drivers for automotive applications* Stepp

6.1. Size:52K diodes
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Liste

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