TDM31035 Todos los transistores

 

TDM31035 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TDM31035
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.205 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TDM31035 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:718K  techcode semi
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TDM31035

DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM31035DESCRIPTIONTheTDM31035usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES 100V/13ARDS(ON)

 8.1. Size:576K  techcode semi
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TDM31035

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM31050DESCRIPTIONTheTDM31050usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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TDM31035

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM31056DESCRIPTIONTheTDM31056usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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TDM31035

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM31066DESCRIPTIONTheTDM31066usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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History: APT10M11JVFR

 

 
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