TDM3424 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TDM3424
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TDM3424
TDM3424 Datasheet (PDF)
tdm3424.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3424DESCRIPTIONTheTDM3424usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3428b.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3428BDESCRIPTIONTheTDM3428BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3421.pdf
DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3421DESCRIPTIONTheTDM3421usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3420.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3420DESCRIPTIONTheTDM3420usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
tdm3426b.pdf
DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3426BDESCRIPTIONTheTDM3426BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)
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Liste
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