TDM3424 Todos los transistores

 

TDM3424 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TDM3424
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

TDM3424 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  techcode semi
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TDM3424

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3424DESCRIPTIONTheTDM3424usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

 8.1. Size:374K  techcode semi
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TDM3424

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3428BDESCRIPTIONTheTDM3428BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

 8.2. Size:567K  techcode semi
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TDM3424

DATASHEETTechcodeP-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3421DESCRIPTIONTheTDM3421usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

 8.3. Size:323K  techcode semi
 tdm3420.pdf pdf_icon

TDM3424

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3420DESCRIPTIONTheTDM3420usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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History: SI12N60-F | STP8N65M5 | ZVN0545GTC | NCEP0212F | NCEP011NH25QU | BRCS035N08SHRA | IRFPG20

 

 
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