TDM3428B MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TDM3428B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TDM3428B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0108 Ohm

Encapsulados: TO252

Búsqueda de reemplazo de TDM3428B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

TDM3428B datasheet

..1. Size:374K techcode semi
tdm3428b.pdf pdf_icon

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3428B DESCRIPTION The TDM3428B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

8.1. Size:266K techcode semi
tdm3424.pdf pdf_icon

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3424 DESCRIPTION The TDM3424 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

8.2. Size:567K techcode semi
tdm3421.pdf pdf_icon

8.3. Size:323K techcode semi
tdm3420.pdf pdf_icon

DATASHEET Techcode N-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3420 DESCRIPTION The TDM3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES RDS(ON)

Otros transistores... TDM3407, TDM3408, TDM3412, TDM3415, TDM3420, TDM3421, TDM3424, TDM3426B, AO3400A, TDM3430, TDM3432, TDM3434, TDM3436, TDM3444, TDM3452, TDM3458, TDM3466

TDM3428B Todos los transistores