TDM3508 Todos los transistores

 

TDM3508 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TDM3508
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TDM3508 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  techcode semi
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TDM3508

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3508DESCRIPTIONTheTDM3508usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

 9.1. Size:604K  techcode semi
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TDM3508

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3532DESCRIPTIONTheTDM3532usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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TDM3508

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3548DESCRIPTIONTheTDM3548usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

 9.3. Size:217K  techcode semi
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TDM3508

DATASHEETTechcodeN-Channel Enhancement Mode MOSFET TDM3510DESCRIPTIONTheTDM3510usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES RDS(ON)

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History: G110N06K | NCE30H15K | WPM2014 | BRCS3400MA | WPM2037 | PHD50N06LT | AP2P053N

 

 
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