TF3402 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TF3402
   Código: A19TF*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TF3402

TF3402 Datasheet (PDF)

..1. Size:3262K cn tuofeng
tf3402.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF3402N-Channel 30-V(D-S) MOSFETTF3402V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.070@ 10V31.GATE30V4.0A0.075@ 4.5V2.SOURCE3.DRAIN10.105 @ 2.5V2General FEATUREEquivalent CircuitMARKINGTrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount packageA22TF w

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tf3404.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF3404TF3404 N-Channel 30-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.025@ 10V330V 5.8A1.GATE0.035@ 4.5V2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredEquivalent CircuitMARKINGSurface mount packageA46TF wAPPLICATIONLo

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tf3400.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS3400TFN-Channel 30-V(D-S) MOSFETTF3400V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-23 SOT-23-3L/0.028@ 10V31.GATE30V5.8A0.033@ 4.5V2.SOURCE3.DRAIN10.052@ 2.5V2General FEATUREEquivalent CircuitMARKINGTrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount pack

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tf3401.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF3401P-Channel 30-V(D-S) MOSFETTF3401V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.060@-10V3-30V 0.070@-4.5V 1.GATE-4.0A2.SOURCE0.100@-2.5V3.DRAIN12MARKING Equivalent CircuitGeneral FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount packageA11TF wAP

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tf3407.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-2 Plastic-Encapsulate MOSFETS3-3LTF3407P-Channel 30-V(D-S) MOSFETTF3407V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-23-3L0.050@-10V-30V -4.1A30.070@-4.5V1.GATE2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packageA79TF wAPPLICAT

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Liste

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