TF3415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TF3415
   Código: AF9TF*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TF3415

TF3415 Datasheet (PDF)

..1. Size:1451K cn tuofeng
tf3415.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF3415P-Channel 15-V(D-S) MOSFETTF3415V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-23 SOT-23-3L/0.039@-4.5V3-15V 0.052@-2.5V-4.3A1.GATE2.SOURCE0.063@-1.8V3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packa

9.1. Size:1464K cn tuofeng
tf3410.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS3410TFTF N-Channel 30-V(D-S) MOSFET3410V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.028@ 10V31.GATE30V5.8A0.033@ 4.5V2.SOURCE3.DRAIN10.042@ 2.5V 2General FEATUREEquivalent CircuitMARKINGTrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount packageAA1TF w

9.2. Size:2974K cn tuofeng
tf3414.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF3414N-Channel 20-V(D-S) MOSFETTF3414V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.030@ 4.5V320V4.2 A1.GATE0.040@ 2.5V2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETEquivalent CircuitLead free product is acquiredMARKINGSurface mount packageAE9TF wAPPLICATION

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