TF3423 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TF3423

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT23

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TF3423 datasheet

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TF3423

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TF3423

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 3420 TF N-Channel 20-V(D-S) MOSFET TF 3420 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.024 @ 10V 3 1.GATE 20V 6.0A 0.027 @ 4.5V 2.SOURCE 3.DRAIN 1 0.035 @ 2.5V 2 General FEATURE Equivalent Circuit MARKING TrenchFET Power MOSFET Lead free product is acquired Surface mount package AN3TF w

Otros transistores... TF2306, TF2310, TF3400, TF3401, TF3402, TF3407, TF3414, TF3415, IRFB4110, TW0115SR-Y, TW1504ESG, TW1515ASI, TW1525SI, TW1527SI, TW1529SJ, TW1754SI-X, TW2203FL-Y