TF3423 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TF3423
   Código: AS3TF*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TF3423

TF3423 Datasheet (PDF)

..1. Size:682K cn tuofeng
tf3423.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF3423TF3423 P-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.100@-4.5V-20V -2.0A30.130 @-2.5V1.GATE2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packageAS3TF wAPPLICATION

9.1. Size:1195K cn tuofeng
tf3420.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS3420TFN-Channel 20-V(D-S) MOSFETTF3420V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.024@ 10V31.GATE20V6.0A0.027@ 4.5V2.SOURCE3.DRAIN10.035@ 2.5V 2General FEATUREEquivalent CircuitMARKINGTrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredSurface mount packageAN3TF w

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