TW1525SI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TW1525SI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TW1525SI

TW1525SI Datasheet (PDF)

..1. Size:940K cn twgmc
tw1525si.pdf

TW1525SI P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = -30V, Power Management in Notebook Computer ID = -4.3A Portable Equipment and Battery Powered Systems RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 45m RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 67m Pin Configurations SOT-23 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symb

9.1. Size:1159K cn twgmc
tw1527si.pdf

TW1527SI P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features General Description VDS = -30V, Load Switch ID = -4A PWM RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 46m RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 50m RDS(ON) @VGS= -2.5V, TYP 63m Pin Configurations SOT-23 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Drain-Sou

9.2. Size:736K cn twgmc
tw1529sj.pdf

TW1529SJP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = -30V, Load Switch ID = -4A PWM RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 46m RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 50m RDS(ON) @VGS= -2.5V, TYP 63m Pin Configurations SOT23-3L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Vol

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Liste

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