TW1529SJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TW1529SJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de TW1529SJ MOSFET
TW1529SJ Datasheet (PDF)
tw1529sj.pdf
TW1529SJP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = -30V, Load Switch ID = -4A PWM RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 46m RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 50m RDS(ON) @VGS= -2.5V, TYP 63m Pin Configurations SOT23-3L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Vol
tw1527si.pdf
TW1527SI P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features General Description VDS = -30V, Load Switch ID = -4A PWM RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 46m RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 50m RDS(ON) @VGS= -2.5V, TYP 63m Pin Configurations SOT-23 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Drain-Sou
tw1525si.pdf
TW1525SI P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = -30V, Power Management in Notebook Computer ID = -4.3A Portable Equipment and Battery Powered Systems RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 45m RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 67m Pin Configurations SOT-23 Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symb
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History: IXFT50N30Q3
History: IXFT50N30Q3
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