TW7408FN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TW7408FN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TDFN3.3X3.3-8L

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TW7408FN datasheet

 ..1. Size:1063K  cn twgmc
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TW7408FN

TW7408FN N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 30V, load switch ID = 68A battery protection applications RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 2.9m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 4.8m Pin Configurations TDFN3.3*3.3-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted A Parameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Voltage

 9.1. Size:1093K  cn twgmc
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TW7408FN

TW7404FJ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 30V, Synchronus Rectification in DC/DC and AC/DC Converters ID = 83.5A Industrial and Motor Drive applications RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 2.5m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 3.3m Pin Configurations DFN5*6-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted A Para

 9.2. Size:1108K  cn twgmc
 tw7407fl-y.pdf pdf_icon

TW7408FN

TW7407FL-Y P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = -30V, DC/DC Converters in Computing, Servers, and POL ID = -50A Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 6m RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 10.3m Pin Configurations PDFN3*3-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted

Otros transistores... TW1527SI, TW1529SJ, TW1754SI-X, TW2203FL-Y, TW3134KDW, TW4614SQ-X, TW7404FJ, TW7407FL-Y, IRFP250N, TW7468FL, TWE3139K, TWS1008SQ, TWS6428FJ, TWS6602FJ, TWS6604FL, SL100N08, SL10N65F