TWS6604FL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TWS6604FL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 23.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 602 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TWS6604FL

TWS6604FL Datasheet (PDF)

..1. Size:982K cn twgmc
tws6604fl.pdf

TWS6604FLN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 65V, load switch ID = 54A power supply RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 7m synchronous rectifier RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 10.5m Pin Configurations PDFN3*3-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Vo

8.1. Size:1119K cn twgmc
tws6602fj.pdf

TWS6602FJN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features General Description VDS = 60V, Notebook AC-in load switch ID = 110A Battery protection charge/discharge RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 2.9m RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 4.1m Pin Configurations PDFN5*6-8L Absolute Maximum Ratings @T =25 unless otherwise noted AParameter Symbol Ratings Unit Dra

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History: SD8901CY | SDF320JAA

Liste

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