ZVN4310G Todos los transistores

 

ZVN4310G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZVN4310G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.67 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm

Encapsulados: SOT223

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ZVN4310G datasheet

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ZVN4310G

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN4310G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 3 - FEBRUARY 1996 FEATURES * Very low RDS(ON) = .54 D APPLICATIONS * DC - DC Converters * Solenoids/Relay Drivers for Automotive S PARTMARKING DETAIL - ZVN4310 D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. 00 PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 1.67 A Pulsed D

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ZVN4310G

 7.1. Size:57K  diodes
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ZVN4310G

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN4310A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES . * 100 Volt VDS * RDS(on) = 0.5 * Spice model available D 1MHz G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V ID=3A Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 0.9 A Practical Continuous Drain Current at IDP 1A Tamb=25 C P

 7.2. Size:41K  diodes
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ZVN4310G

N-CHANNEL ENHANCEMENT ZVN4310A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 FEATURES . * 100 Volt VDS * RDS(on) = 0.5 * Spice model available D 1MHz G S E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V ID=3A Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID 0.9 A Practical Continuous Drain Current at IDP 1A Tamb=25 C P

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History: US6M11

 

 

 


 
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