2SK2818 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2818
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de 2SK2818 MOSFET
2SK2818 Datasheet (PDF)
2sk2818.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2818FEATURESDrain Current : I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 70m(Max) @V =4VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid dr
Otros transistores... 2N06L09B , 2N06L09P , 2N06L11B , 2N06L11K , 2N06L11P , 2SK2799 , 2SK2816 , 2SK2817 , IRFP064N , 2SK2819 , 2SK2820 , 2SK2821 , 2SK2826 , 2SK2826-S , 2SK2826-ZJ , 2SK2826-Z , 2SK2827-01 .
History: BUK762R4-60E | SJMN099R60ZSW | UPA1913 | LSG65R930GT | SFG10S10DF | CJ3439KDW | SHD224802
History: BUK762R4-60E | SJMN099R60ZSW | UPA1913 | LSG65R930GT | SFG10S10DF | CJ3439KDW | SHD224802



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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