ZVP0540A Todos los transistores

 

ZVP0540A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZVP0540A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.045 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 150 Ohm

Encapsulados: ELINE

 Búsqueda de reemplazo de ZVP0540A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ZVP0540A datasheet

 ..1. Size:25K  diodes
zvp0540a.pdf pdf_icon

ZVP0540A

P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP0540A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D D E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I V V ID VD V T I V I I V V

 8.1. Size:40K  diodes
zvp0545astoa zvp0545astob zvp0545astz.pdf pdf_icon

ZVP0540A

P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP0545A MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D D E-Line TO92 Compatible ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT D i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25 C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V V V I T I V V ID VD V V I I V V

 8.2. Size:40K  diodes
zvp0545gta zvp0545gtc.pdf pdf_icon

ZVP0540A

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP0545G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 1 MARCH 98 FEATURES * 450 Volt VDS D * RDS(on)=150 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS -450 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID -75 mA Pulsed Drain Current IDM -400 mA Gate Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C Ptot 2W Operatin

 8.3. Size:45K  diodes
zvp0545g.pdf pdf_icon

ZVP0540A

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT ZVP0545G MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 1 MARCH 98 FEATURES * 450 Volt VDS D * RDS(on)=150 S D G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Drain-Source Voltage VDS -450 V Continuous Drain Current at Tamb=25 C ID -75 mA Pulsed Drain Current IDM -400 mA Gate Source Voltage VGS 20 V Power Dissipation at Tamb=25 C Ptot 2W Operatin

Otros transistores... ZVN4424A , ZVN4424G , ZVNL110A , ZVNL110G , ZVNL120A , ZVNL535A , ZVP0120A , ZVP0535A , 10N65 , ZVP0545A , ZVP0545G , ZVP1320A , ZVP1320F , ZVP2106A , ZVP2106G , ZVP2110A , ZVP2110G .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.