ZVP1320F Todos los transistores

 

ZVP1320F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZVP1320F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.035 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 80 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

ZVP1320F Datasheet (PDF)

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ZVP1320F

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP1320FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996 T VD VSD T I D T I TGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I I V V VD V V

 0.1. Size:461K  diodes
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ZVP1320F

A Product Line ofDiodes IncorporatedZVP1320F200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET IN SOT23 Features and Benefits Mechanical Data V(BR)DSS > -200V Case: SOT23 Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. RDS(on) 80 @ VGS = -10V UL Flammability Classification Rating 94V-0 Maximum continuous drain current ID = -35mA Moist

 7.1. Size:73K  diodes
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ZVP1320F

P-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVP1320AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD 8 D VGS=-20V -10V-8VD-7V-6VE-Line-5VTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-4V T V ITD i V I VD V-8 -10 i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D

Otros transistores... ZVNL120A , ZVNL535A , ZVP0120A , ZVP0535A , ZVP0540A , ZVP0545A , ZVP0545G , ZVP1320A , IRFB31N20D , ZVP2106A , ZVP2106G , ZVP2110A , ZVP2110G , ZVP2120A , ZVP2120G , ZVP3306A , ZVP3306F .

History: IXTP50N28T

 

 
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