ZVP1320F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZVP1320F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.035 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 80 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZVP1320F
ZVP1320F Datasheet (PDF)
zvp1320f.pdf
SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENTZVP1320FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 JANUARY 1996 T VD VSD T I D T I TGABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I I V V VD V V
zvp1320fta zvp1320ftc.pdf
A Product Line ofDiodes IncorporatedZVP1320F200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET IN SOT23 Features and Benefits Mechanical Data V(BR)DSS > -200V Case: SOT23 Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. RDS(on) 80 @ VGS = -10V UL Flammability Classification Rating 94V-0 Maximum continuous drain current ID = -35mA Moist
zvp1320a.pdf
P-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVP1320AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD 8 D VGS=-20V -10V-8VD-7V-6VE-Line-5VTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.-4V T V ITD i V I VD V-8 -10 i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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