TF2323 Todos los transistores

 

TF2323 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TF2323

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 15 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT23

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TF2323 datasheet

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TF2323

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS TF2323 P-Channel 15-V(D-S) MOSFET TF2323 V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOT-23 0.035 @-4.5V 3 -15V 0.048 @-2.5V -4.7A 1.GATE 2.SOURCE 0.060 @-1.8V 3.DRAIN 1 2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET MARKING Equivalent Circuit Lead free product is acquired Surface mount package D32TF w

Otros transistores... SLP6N70U , SLF6N70U , TF2015 , TF2301A , TF2302A , TF2307 , TF2312 , TF2317 , AOD4184A , TF2333 , TF2341 , TF2369 , TF3404 , TF3410 , TF3420 , TF68N75 , TF68N80 .

History: IRFP4127 | FS10UM-9 | LSD60R105HF | FDB150N10 | STB9NK90Z | 2SK3699-01MR | TK10A80W

 

 

 

 

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