TF2323 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TF2323
   Código: D32TF*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TF2323

TF2323 Datasheet (PDF)

..1. Size:1318K cn tuofeng
tf2323.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSTF2323P-Channel 15-V(D-S) MOSFETTF2323V(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.035@-4.5V3-15V 0.048@-2.5V-4.7A1.GATE2.SOURCE0.060@-1.8V3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETMARKING Equivalent CircuitLead free product is acquiredSurface mount packageD32TF w

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: