TPH1500CNH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TPH1500CNH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 78 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 22 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 280 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0154 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TPH1500CNH

TPH1500CNH Datasheet (PDF)

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TPH1500CNHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH1500CNHTPH1500CNHTPH1500CNHTPH1500CNH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 8.2 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resista

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