ZVP3310F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZVP3310F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.075 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 20 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de ZVP3310F MOSFET
ZVP3310F Datasheet (PDF)
zvp3310f.pdf
SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT0F ZVP3310FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 OCTOBER 1995 T V I VD S D D T T V G T I D T I I ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V Vs Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V I
zvp3310fta zvp3310ftc.pdf
SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT0F ZVP3310FMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 3 OCTOBER 1995 T V I VD S D D T T V G T I D T I I ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V Vs Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V I
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P-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVP3310AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I I V
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P-CHANNEL ENHANCEMENT0A ZVP3310AMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 MARCH 94 T V I VD D DE-LineTO92 CompatibleABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V ITD i V I VD V i D i T ID I D i ID V I V V Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI D i VD V ID V VV I T I V V ID VD V V I I V
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Liste
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