WSE9968 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WSE9968
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 16 nC
   Tiempo de subida (tr): 6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WSE9968

WSE9968 Datasheet (PDF)

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WSE9968 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSE9968 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 100V 80m 4.2Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSE9968 meet the RoHS and Green Pro High Frequency Point-of-Load Synchro

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WSE9968A N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSE9968A is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 100V 75m 4.4Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSE9968A meet the RoHS and Green Pro High Frequency Point-of-Load Sync

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Liste

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