WSE9968 Todos los transistores

 

WSE9968 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSE9968
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

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WSE9968 Datasheet (PDF)

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WSE9968 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSE9968 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 100V 80m 4.2Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSE9968 meet the RoHS and Green Pro High Frequency Point-of-Load Synchro

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WSE9968A N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSE9968A is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 100V 75m 4.4Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSE9968A meet the RoHS and Green Pro High Frequency Point-of-Load Sync

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