WSP6946 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSP6946
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Tiempo de subida (tr): 6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WSP6946
WSP6946 Datasheet (PDF)
wsp6946.pdf
WSP6946Dual N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP6946 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 33m 60V 6.5A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP6946 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guarante
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