WSP9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSP9435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 76 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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WSP9435 Datasheet (PDF)
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WSP9435 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP9435 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 38m -5.4Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP9435 meet the RoHS and Green Product requirement , with full function re
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