WST4040 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WST4040
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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WST4040 Datasheet (PDF)
wst4040.pdf
WST4040N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WST4040 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 40V 35m 5.8Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WST4040 meet the RoHS and Green Product High Frequency Point-of-Load Synchr
wst4041.pdf
WST4041P-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WST4041 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -40V 30m -6Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WST4041 meet the RoHS and Green Product High Frequency Point-of-Load Synch
wst4045.pdf
WST4045P-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WST4045 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate -40V 73m -4.3Acharge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WST4045 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous
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Liste
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