FCA47N60 Todos los transistores

 

FCA47N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCA47N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 210 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FCA47N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1062K  fairchild semi
 fch47n60 f133 fca47n60 fca47n60 f109.pdf pdf_icon

FCA47N60

December 2008TMSuperFETFCH47N60_F133 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.058balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=210nC) lowe

 ..2. Size:1448K  onsemi
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FCA47N60

2017 9 FCA47N60 N SuperFET MOSFET600 V, 47 A, 70 m 650 V @ TJ = 150CSuperFETMOSFET RDS(on) = 58 m(SJ)MOSFET

 0.1. Size:191K  fairchild semi
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FCA47N60

January 2009 TMSuperFETFCA47N60F 600V N-Channel MOSFET, FRFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 0.062balance mechanism for outstanding low on-resistance and Fast Recovery Type ( trr = 240ns) lower gate charge performance.

 0.2. Size:2138K  onsemi
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FCA47N60

201 FCA47N60FN-Channel SuperFET FRFET MOSFET600 V, 47 A, 73 m 650 V @ TJ = 150 CSuperFET MOSFET (SJ) RDS(on) = 62 mMOSFET

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History: FDPF20N50T

 

 
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