SE2102M Todos los transistores

 

SE2102M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SE2102M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.17 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: SOT723

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SE2102M datasheet

 ..1. Size:381K  cn sino-ic
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SE2102M

SHANGHAI July 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE2102M Small Signal MOSFET 20 V, 600 mA, Single N-Channel MOSFET General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide the VDS (V) = 20V best combination of fast switching, low ID = 600mA on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

 9.1. Size:42K  fairchild semi
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SE2102M

KSE210 Feature Low Collector-Emitter Saturation Voltage High Current Gain Bandwidth Product fT=65MHz@IC= -100mA (Min.) Complement to KSE200 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 2

 9.2. Size:53K  samsung
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SE2102M

KSE210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR COLLECTOR-EMITTER SUSTAINING VOLTAGE LOW COLLECTOR-EMITTER SATURATION TO-126 SATURATION VOLTAGE HIGH CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT-MIN fT=65 I = -100 C Complement to KSE200 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter- Base Voltage VEBO -8 V Co

 9.3. Size:170K  cn sino-ic
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SE2102M

Jul 2015 SE2101 P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type is P-Channel enhancement mode For a single MOSFET power MOSFET which is produced with high VDS = -20V cell density and DMOS trench technology. This ID= -0.9A device particularly suits low voltage RDS(ON) = 280m @ VGS=-4.5V applications, especially for batter

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