FCA47N60F Todos los transistores

 

FCA47N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCA47N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.073 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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FCA47N60F datasheet

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FCA47N60F

January 2009 TM SuperFET FCA47N60F 600V N-Channel MOSFET, FRFET Features Description 650V @TJ = 150 C SuperFETTM is, Fairchild s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 0.062 balance mechanism for outstanding low on-resistance and Fast Recovery Type ( trr = 240ns) lower gate charge performance.

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FCA47N60F

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FCA47N60F

December 2008 TM SuperFET FCH47N60_F133 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 600V N-Channel MOSFET Features Description 650V @TJ = 150 C SuperFETTM is, Fairchild s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.058 balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=210nC) lowe

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FCA47N60F

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