SE2N7002K Todos los transistores

 

SE2N7002K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SE2N7002K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.85 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

SE2N7002K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  cn sino-ic
 se2n7002k.pdf pdf_icon

SE2N7002K

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE2N7002K 60V,300mA N-Channel MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 300mA on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

 6.1. Size:280K  cn sino-ic
 se2n7002.pdf pdf_icon

SE2N7002K

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE2N7002 60V,300mA N-Channel MOSFET Revision:A General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) = 60V the best combination of fast switching, low ID = 300mA on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

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