SE4606L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SE4606L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0235 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SE4606L

SE4606L Datasheet (PDF)

..1. Size:493K cn sino-ic
se4606l.pdf

SHANGHAI June 2006MICROELECTRONICS CO., LTD.SE4606LComplementary Enhancement Mode Field Effect TransistorRevision:AExternal Dimensions: (Unit:mm)Features n-channel,VDS (V) = 20V ,ID =7ARDS(ON) =20.0m (VGS=4.5V) p-channel,VDS (V) = -18V ,ID =- 5ARDS(ON) =30m (VGS=-4.5V)Applications Power Management in Desktop or DC/DCConvertersConstruction Sili

8.1. Size:428K cn sino-ic
se4606s.pdf

SE4606S N+P Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features Advanced trench technology to provide For N-Channel MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low VDS = 30V operation voltage. This device is suitable for using RDS(ON) =24m @ VGS=10V as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) =39m @ VGS=4.5V Low RDS(on)

8.2. Size:385K cn sino-ic
se4606.pdf

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4606 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A External Dimensions: (Unit:mm) Features n-channel, VDS (V) = 30V ,ID = 8.5A RDS(ON)

9.1. Size:1509K cn sino-ic
se4607.pdf

SE4607Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorRevision: AFeatures PIN CONFIGURATION N-ChannelV =20VDSR =20m @V =4.5V,DS(ON) GS P-ChannelV = -20VDSR =100m @V =-4.5VDS(ON) GSApplications Power Management in Desktop or DC/DCLCD display ConvertersConstructions Silicon epitaxial planerAbsolute Maximum Ratings (TA=25)Parameter

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NCE65T540I | IRF1404LPBF

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: