SED4060GM Todos los transistores

 

SED4060GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SED4060GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 309 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de SED4060GM MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SED4060GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:584K  cn sino-ic
 sed4060gm.pdf pdf_icon

SED4060GM

SED4060GMN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V =40VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =7m @V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowSSSGDFN3*3Absolute Maximum Ratings

 6.1. Size:556K  cn sino-ic
 sed4060g.pdf pdf_icon

SED4060GM

SED4060GN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V =40VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =7m @V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowD D D D5 6 7 81 2 3 4S S S GDFN5*6A

Otros transistores... SED2145 , SED3022M , SED3030M , SED3032G , SED3080M , SED3081M , SED30P30M , SED4060G , IRF730 , SED5852 , SED8830A , SED8840 , APM2300CA , APM2301CA , APM2306A , APM2309A , APM2317A .

History: NCE50NF600D | HMS80N10AL | NTJS3157NT2 | BF1206F | STP35N65M5 | DKI03062 | AP4034GYT-HF

 

 
Back to Top

 


 
.