VS3618AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3618AE
   Código: 3618AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3618AE

VS3618AE Datasheet (PDF)

..1. Size:609K cn vanguard
vs3618ae.pdf

VS3618AE 30V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 50 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V PDFN3333 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Packag

..2. Size:928K cn vgsemi
vs3618ae.pdf

VS3618AE30V/32A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.8 m Fast Switching and High efficiencyI D(Silicon Limited) 50 A 100% Avalanche testI D(Package Limited) 32 APDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3618AE PDFN3333 3618AE 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

7.1. Size:1032K cn vgsemi
vs3618ad.pdf

VS3618AD30V/70A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.8 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement modeI D 70 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3618A

7.2. Size:999K cn vgsemi
vs3618as.pdf

VS3618AS30V/16A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9.6 m Enhancement modeI D 16 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche testSOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3618AS SOP8 3618AS 3000PCS/Ree

7.3. Size:1161K cn vgsemi
vs3618ah.pdf

VS3618AH30V/8A N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m Fast SwitchingI D 8 A High EffectiveSOT23-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3618AH SOT23-6L VS02 3000pcs/reelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specifiedSymbol Parameter Rating UnitV(BR)DSS Drain-

7.4. Size:1043K cn vgsemi
vs3618ap.pdf

VS3618AP30V/54A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.4 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.4 m Enhancement modeI D 54 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VPDFN5x6 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS36

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: