VS3640DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS3640DS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Encapsulados: SOP8
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VS3640DS datasheet
vs3640ds.pdf
VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS
vs3640ds.pdf
VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Part ID Package Type Marking Packing VS3640DS SOP8 3640DS 3000pcs/reel Maxim
vs3640db.pdf
VS3640DB 30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m High Current Capability I D 25 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Low Gate Charge DFN3x3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3640DB DFN3x3 3640DB 5000pcs/Reel
vs3640de.pdf
VS3640DE 30V/24A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 15 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 24 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Pa
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History: 2SJ451 | WMK120N04TS | VN0335ND | 18N20
History: 2SJ451 | WMK120N04TS | VN0335ND | 18N20
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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