VS6038AD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS6038AD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Encapsulados: TO252
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VS6038AD datasheet
vs6038ad.pdf
VS6038AD 60V/25A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Low On-Resistance Fast Switching 100% Avalanche Tested Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Description VS6038AD designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. Additional features of this design are a 175 C junction operating te
Otros transistores... VS4604AP , VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A , VS6018AS , VS6018BS , 2SK3878 , VS6412AE , VS6412ASL , VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD , VS7N65AF .
History: TK560A60Y | WSF07N10 | STW70N65M2
History: TK560A60Y | WSF07N10 | STW70N65M2
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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